陶瓷基板 - AMB陶瓷基板

AMB陶瓷基板（活性金屬釺焊）是一種使用含有少量活性元素的金屬釺焊資料將銅箔和陶瓷片緊密焊接的過程。 添加到AMB釺焊資料中的少量活性元素具有高活性，這可以提高釺焊資料在熔化後對陶瓷的潤濕性，使陶瓷表面能够與金屬實現良好的焊接，而不需要金屬化。

與DBC陶瓷PCB相比，通過釺焊在陶瓷表面上獲得銅塗層的AMB基板具有更高的結合强度和更好的可靠性。 AMB陶瓷基板中的陶瓷通常是Si3N4陶瓷和AlN陶瓷，它們的導熱係數（Si3N4-AMB>80W/m·K，AlN AMB>170W/m·K）遠高於Al2O3-DBC（24W/m·C）。 此外，Si3N4-AMB還具有優异的機械強度。

新能源汽車的爆炸性發展也帶來了汽車電源模組需求的快速增長。 與此同時，SiC功率器件逐漸成熟並開始廣泛應用，這也推動了功率模組功率密度的不斷提高。 囙此，對包裝材料的散熱效能、機械強度和可靠性提出了更高的要求。 AMB陶瓷PCB，特別是Si3N4-AMB陶瓷印刷電路板，很好地滿足了汽車SiC功率模組的效能要求。

AMB陶瓷基板生產工藝

AMB陶瓷基板是基於DBC技術開發的。 在800℃左右的高溫下，含有活性元素Ti和Zr的AgCu焊料在陶瓷和金屬之間的介面上潤濕並反應，從而實現陶瓷和金屬的非均勻結合。

由於AMB氮化矽基板的高導熱性（>90W/mK），可以將非常厚的銅金屬（厚度高達0.8mm）焊接到相對薄的氮化矽陶瓷上，從而獲得高載流能力。 氮化矽陶瓷基板的熱膨脹係數接近第三代電晶體基板SiC晶體，使其與SiC碳化硅材料的匹配更加穩定。 囙此，它已成為SiC電晶體導熱基板的首選資料，特別是在800V以上的高端新能源汽車中不可或缺。

AMB科技實現了氮化鋁和氮化矽陶瓷與銅板的覆蓋。 與DBC電路板相比，它具有更好的導熱性、銅層附著力、可靠性等，可以大大提高陶瓷襯墊的可靠性。 更適合大功率、大電流應用場景，逐漸成為中高端IGBT模塊散熱電路板的主要應用類型，廣泛應用於汽車、航空航太、軌道交通、工業電網等領域。

AMB陶瓷基板

與傳統陶瓷電路板相比，AMB陶瓷基板依靠陶瓷與活性金屬焊膏在高溫下的化學反應來實現鍵合，從而具有更高的鍵合强度和更好的可靠性。 它們非常適合具有高載流和散熱要求的連接器或場景。 特別是對於新能源汽車、軌道交通、風力發電、光伏、5G通信等效能要求嚴格的電力電子和大功率電子模塊，AMB陶瓷基板的需求量巨大。