高頻微波技術 - 5G前端射頻技術

隨著5G時代的開啟，網絡基站和用戶設備（如手機）越來越纖薄小巧，能耗也越來越低。許多 RF 應用中使用的印刷電路板(PCB) 也在縮小尺寸以適應更小的設備。典型的射頻前端由開關、濾波器、放大器和調諧組件組成。在手機、小基站、天線陣列系統和Wi Fi等5G應用中，射頻前端正在成為一個複雜且高度集成的系統包。

作為核心部件，射頻前端模塊有哪些技術改進？

1.甘科技

氮化鎵（GAN）是一種二元III/V帶隙半導體，非常適用於大功率耐高溫晶體管。

鎵技術的一些重要特性如下：

可靠性和穩健性：氮化鎵具有更高的功率效率，因此熱量輸出更低。使用氮化鎵可以消除這些高成本的散熱方法。

低電流消耗：氮化鎵降低了運營成本並產生更少的熱量。此外，低電流還有助於降低系統功耗和功率要求。

功率能力：Gan 器件提供比其他半導體技術更高的輸出功率。

頻率帶寬：氮化鎵具有高阻抗和低柵極電容，可實現更大的工作帶寬和更高的數據傳輸速度。

集成：5g 需要更小的解決方案，這促使供應商用單一的、完全集成的解決方案取代大規模、多技術、分立的射頻前端。

2.體聲波濾波技術

聲表面波（SAW）濾波器和體聲波濾波器（BAF）具有佔地面積小、性能優良、經濟適用等優點。

體聲波濾波器最適用於 1 GHz 至 6 GHz 的頻段，表面聲波濾波器最適用於 1 GHz 以下的頻段。

對於智能手機設計者來說，5g 是對電池壽命和主板空間的挑戰。

毫不奇怪，從4G到5G，手機安裝的濾波器數量急劇增加，而載波聚合是促成增加的主要因素。

3. 射頻技術、封裝和設計

射頻前端由幾個半導體技術設備組成。許多 5G 應用需要多種處理技術、設計技術、集成方法和封裝方法，以滿足每個獨特用例的需求。

對於7GHz以下的5g頻段，相應的射頻前端解決方案需要創新的封裝方式，例如提高元件排列的緊湊性，縮短元件之間的線長以減少損耗，採用雙面安裝，分區屏蔽，使用更高質量表面貼裝技術組件。

所有 5g 用例都需要射頻前端技術。根據射頻功能、頻段和功率等級的性能要求，射頻半導體技術的選擇是不同的。