氮化鋁(AIN)陶瓷PCB是一種以氮化鋁為主要晶相的先進陶瓷材料。 由於陶瓷氮化鋁高導熱性、無毒性、良好的耐腐蝕性、耐高溫性和優异的電絕緣性,在高密度、大功率、高速集成電路的散熱和封裝應用中起著不可替代的作用。 其與矽匹配的熱膨脹係數進一步鞏固了其在半導體行業的應用地位,使其成為製造高性能電子器件的理想材料選擇。
AIN 陶瓷氮化鋁基板的發展前景是積極和有前景的。
1.氮化鋁陶瓷因其優异的導熱性、與矽匹配的熱膨脹係數、高機械強度和穩定的化學效能,已成為新一代散熱基板和電子器件封裝的理想選擇。 這導致其在高性能電子設備中的廣泛應用,如混合電源開關的封裝、微波真空管封裝外殼和大規模集成電路基板。
2.隨著5G通信、新能源汽車、半導體產業的快速發展,對高性能電子材料的需求日益強勁。 氮化鋁陶瓷基板在散熱和電子封裝領域的需求預計將繼續上升,特別是在高端電子產品和電力電子設備方面。
3.科技的不斷進步將提高氮化鋁陶瓷基板的生產效率和產品品質,降低生產成本,進一步促進行業發展。
AIN 陶瓷氮化鋁基板
AIN陶瓷基板行業的發展歷史還很遙遠。 最初,氮化鋁是由F Birgeler和A Geuhter開發的,他們在1862年發現,氮化鋁由於其共價性質,如低自擴散係數和高熔點,長期以來沒有得到廣泛應用,只作為肥料中的固氮劑存在。
直到20世紀50年代,氮化鋁陶瓷的製備工藝取得突破,它們才首次被用作熔化特定金屬的耐火材料。 隨著科學研究的深入,特別是20世紀70年代以來,氮化鋁陶瓷基板的製備技術逐漸成熟。氮化鋁陶瓷基板優异的導熱性、高絕緣效能和化學穩定性也使其廣泛應用於多個領域,特別是在5G通信、電晶體、航空航太和汽車電子等高科技領域。
氮化鋁陶瓷基板行業的發展也遵循了這一軌跡。 隨著科研機構和大學對氮化鋁陶瓷基板研究的深入,科技取得了重大進展。
由於氮化鋁陶瓷PCB市場的巨大潜力,iPCB加大了投資,推動了行業的快速發展。 如今,AIN 陶瓷基板產品已經形成了一個有競爭力的產品。
AIN 陶瓷基板的發展在技術創新能力、成本控制和市場競爭等方面仍面臨挑戰。 為了促進行業的持續健康發展,企業和研究機構需要繼續加大投入,加強合作,共同克服技術難題,提高產品品質,降低成本,以更好地滿足市場需求。 隨著科技的不斷進步和市場的不斷擴大,AIN 陶瓷基板的發展前景將更加廣闊。
基板類型:氮化鋁陶瓷
基板厚度:0.3-2.0mm
導電層:銅、鎳、金
金屬層厚度:35-400μm
表面處理:鎳金
金屬:1L
導電孔:0.2mm導電孔
線寬:0.1mm
應用:大功率LED
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